- Материаловедение кристаллического кремния: получение и очистка металлургического кремния, процессы роста из расплавов, химического осаждения из газовой фазы, аппаратура для роста.
- Получение кремния солнечного качества и проблемы солнечной энергетики.
- Процессы на поверхности, границах раздела и в объеме кремния: дефекты, примесные атомы, гетерограницы.
- Тонкие пленки в кремниевой микроэлектронике: эпитаксиальные слои, кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low и high-k диэлектрик.
- Физика кремниевых квантово-размерных структур для нано- и оптоэлектроники, фотоники, спинтроники и логических элементов для квантовых вычислений.
- Технологии микроэлектроники, включая, ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых структур, диагностику.
- Математическое моделирование технологических процессов и кремниевых компонентов, включая разработку алгоритмов и программного обеспечения.
- Кремниевая электронная компонентная база микроэлектроники, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающих структур, фотоприемников, микромеханики и сенсорики.
- Кремниевая микроэлектроника в проблематике искусственного интеллекта и нейроподобных систем.
- групповой трансфер от аэропорта г. Симферополь до санатория "Гурзуф Центр" или ДЦО "Жемчужный берег" в согласованные даты и время;
- участие в работе Мероприятия;
- предоставление печатной продукции: программы работы Мероприятия, сборника тезисов докладов, сборника докладов.
- заявку на участие;
- тезисы доклада;
- экспертное заключение о возможности публикации тезисов доклада в открытых источниках печати.